從存儲、MLCC、ABF到磷化銦,關(guān)于AI算力鏈的“瓶頸”,這是高盛的最新看法
高盛認(rèn)為,瓶頸AI服務(wù)器需求的從存儲爆發(fā)正在將整個電子元器件與材料產(chǎn)業(yè)鏈推入新一輪供需緊缺周期,且緊張程度正在持續(xù)加劇。到磷的最投票代投靠譜嗎
追風(fēng)交易臺消息,化銦4月22日,關(guān)于高盛高盛Daiki Takayama團隊發(fā)表研報指出,算力自今年年初以來,瓶頸由AI服務(wù)器驅(qū)動的從存儲需求熱潮,正在把年初已經(jīng)緊張的到磷的最供應(yīng)鏈推向更嚴(yán)重的短缺。
這份報告覆蓋了從半導(dǎo)體、化銦被動元件到特種材料的關(guān)于高盛11個關(guān)鍵環(huán)節(jié),其中五個領(lǐng)域的算力供需預(yù)測發(fā)生了顯著上修。
MLCCABF基板PCB/CCL存儲磷化銦(InP)襯底,瓶頸供需缺口在過去四個月內(nèi)持續(xù)擴大,從存儲且這一趨勢在2027年前難以逆轉(zhuǎn)。到磷的最投票代投靠譜嗎
MLCC:可能迎來久違的漲價,產(chǎn)能擴張被“卡脖子”
多層陶瓷電容(MLCC)是本次報告中供需變化最受市場關(guān)注的品類之一。
高盛指出,AI服務(wù)器對MLCC的需求將從2025年至2030年增長約4.3倍,疊加汽車應(yīng)用需求持續(xù)強勁,整個MLCC行業(yè)正進入明顯的供需收緊階段。
值得關(guān)注的是,即便是智能手機、PC等需求較弱的客戶,也開始主動尋求與MLCC廠商簽訂長期供應(yīng)合同。
原因并非自身需求旺盛,而是擔(dān)憂未來在產(chǎn)能被AI服務(wù)器訂單占滿后,將難以獲得充足供貨。這種"防御性搶單"行為本身,正在進一步加劇供需緊張。
在產(chǎn)能方面,高盛認(rèn)為MLCC行業(yè)每年產(chǎn)能增長上限約為10%多一點,受制于內(nèi)部設(shè)備與材料的制約,擴產(chǎn)速度極為有限。
若這些有限的新增產(chǎn)能主要被AI服務(wù)器與汽車應(yīng)用吸收,當(dāng)前供需緊張格局可能將持續(xù)整個周期。
在定價層面,2026年4月中旬中國臺灣媒體報道了MLCC漲價消息。雖然真實性有待財報季確認(rèn),但高盛認(rèn)為,2026年同類產(chǎn)品的價格變動率從此前預(yù)估持平,上調(diào)至0%至5%。
若平均漲價幅度達到5%,高盛測算這將對相關(guān)頭部廠商2027財年的營業(yè)利潤,分別帶來13%和37%的上行影響。
ABF基板:AI芯片設(shè)計規(guī)格持續(xù)升級,2027年前供應(yīng)無望顯著擴張
味之素堆積薄膜(ABF)基板是AI芯片封裝的核心材料。
高盛維持對ABF基板未來18至24個月供需前景的積極判斷,驅(qū)動力來自兩個方向:
- 一是AI芯片出貨量的擴大;
- 二是單顆芯片基板面積和層數(shù)的快速升級。
2026年的價格漲幅預(yù)期也從20-30%上調(diào)至30-35%。
當(dāng)前AI芯片主流基板設(shè)計規(guī)格為75mm×85mm、14/16層,高盛預(yù)測2027年將升至120mm×150mm、20層以上,至2030年進一步升至200mm×250mm、20層以上。
尺寸擴大不僅直接降低生產(chǎn)良率,還會增加面板利用損耗,相當(dāng)于單位產(chǎn)能的實際有效供給在下降。
目前中國臺灣主要ABF基板廠商的產(chǎn)能已基本被預(yù)訂至今年底,而高盛預(yù)計ABF基板供應(yīng)商在2027年下半年之前不會有明顯的產(chǎn)能擴張。交貨周期延長意味著定價能力持續(xù)增強。
PCB/CCL:技術(shù)規(guī)格持續(xù)躍升,AI服務(wù)器拉動平均售價每年上漲30%以上
在AI服務(wù)器對印刷電路板(PCB)和覆銅板(CCL)的需求方面,高盛觀察到兩條并行的升級路徑:
- 一是CCL等級的提升:從2023年主流的M7級,升至2025年的M8級,預(yù)計2027年升級至M9級;
- 二是PCB層數(shù)的增加:從2023年主流的22層,升至2025年的28層,預(yù)計2027年將達到36層以上。
高盛認(rèn)為,上述趨勢主要由數(shù)據(jù)傳輸速度需求與計算性能提升共同驅(qū)動,預(yù)計AI CCL/PCB的平均售價在可預(yù)見的未來將保持每年30%以上的同比增長。
在供需平衡方面,高盛預(yù)計一線PCB/CCL供應(yīng)商產(chǎn)能每年擴張約20%至30%,但這一速度明顯慢于AI服務(wù)器需求增速,此前臺積電曾預(yù)測增速將達50%以上的年復(fù)合增長率。
超額需求將溢出至二三線供應(yīng)商,但根據(jù)2025年數(shù)據(jù),這些低端供應(yīng)商的生產(chǎn)良率普遍比一線廠商低約20%,即使發(fā)動價格戰(zhàn)也難以真正搶占市場份額。
因此,一線PCB/CCL供應(yīng)商將持續(xù)享有供需與定價的雙重優(yōu)勢。
存儲:2026年供需缺口急劇擴大,高盛將DRAM/NAND價格預(yù)測大幅上調(diào)
存儲內(nèi)存是本次報告中預(yù)測調(diào)整幅度最大的品類,也是對整個產(chǎn)業(yè)鏈影響最為深遠的環(huán)節(jié)之一。
高盛將2026年DRAM價格漲幅預(yù)測從此前的約150%大幅上調(diào)至250%至+280%;NAND價格漲幅預(yù)測從約100%上調(diào)至+200%至+250%。
供需緊張的三大驅(qū)動因素是:
- 服務(wù)器應(yīng)用需求強勁;
- 全行業(yè)產(chǎn)能新增有限,且新增產(chǎn)能優(yōu)先供給高帶寬內(nèi)存(HBM),壓縮了傳統(tǒng)內(nèi)存的供給增量;
- 整個行業(yè)庫存水位極低,進一步限制供給彈性。
更值得警惕的是,高盛已將供需緊張的預(yù)期從2026年延伸至2027年。
此前高盛預(yù)計存儲供需將于2027年恢復(fù)平衡,但最新判斷認(rèn)為供給緊張局面在2027年難以緩解,整體供需將在2027年繼續(xù)維持偏緊格局。
磷化銦(InP)襯底:AI光互聯(lián)核心材料,供需緊張延續(xù),產(chǎn)能擴張需跨越多年
磷化銦(InP)襯底是本次報告中頗受關(guān)注的新興緊缺材料。
高盛預(yù)計2026年磷化銦襯底的供需緊張格局將持續(xù),并預(yù)計價格將上調(diào)約15%。
從擴產(chǎn)動向來看,相關(guān)主要供應(yīng)商已分別于2025年7月、10月及2026年2月多次宣布擴產(chǎn)計劃,并持續(xù)加碼投資。
盡管各方擴產(chǎn)意愿明確,但高盛指出,新產(chǎn)能的實質(zhì)性落地最早也要到2028財年前后才能開始分階段釋放,產(chǎn)能瓶頸在中短期內(nèi)難以得到根本緩解。
與此同時,業(yè)界普遍反映磷化銦基板的市場需求旺盛,來自多家公司的供給均已無法滿足下游需求,供不應(yīng)求的局面預(yù)計將延續(xù)至下一財年。
晶圓代工:臺積電先進制程供不應(yīng)求將持續(xù)至2027年及以后
在晶圓代工領(lǐng)域,高盛對臺積電的判斷是:受持續(xù)增長的AI推理需求驅(qū)動,先進制程供給將至少在2027年前保持供不應(yīng)求的狀態(tài)。
而當(dāng)前臺積電資本開支周期帶來的新增產(chǎn)能預(yù)計要到2028至2029年才能落地。高盛預(yù)測臺積電2026至2028年的美元收入將分別同比增長35%、30%和29%。
對于中國大陸晶圓代工廠商,高盛的判斷則有所不同。
盡管當(dāng)前產(chǎn)能利用率處于高位,但中國晶圓代工廠正在持續(xù)擴張產(chǎn)能,供需并不緊張。
高盛預(yù)計,受高利用率、工業(yè)設(shè)備終端市場需求回暖、AI相關(guān)產(chǎn)品需求增長、原材料成本上升以及較為健康的競爭格局等因素共同驅(qū)動,2026年中國大陸晶圓代工廠的同類產(chǎn)品價格將上漲約10%。
綜合高盛此次報告的全部判斷,對投資者而言,存儲價格的大幅上調(diào)預(yù)期、ABF/BT基板的持續(xù)緊俏、InP襯底的多年擴產(chǎn)周期,均指向同一個方向——供給端的物理約束將在相當(dāng)長時間內(nèi)支撐整個算力硬件產(chǎn)業(yè)鏈的盈利能力與定價權(quán)。